近年來，國產化傳感器在工業自動化、汽車電子、消費電子等領域取得了顯著進展，政府政策扶持與企業研發投入不斷加大，部分中低端傳感器已實現規模化替代進口。然而在高端傳感器領域，核心材料如單晶硅片、特種陶瓷、MEMS工藝所需的光刻膠和化合物半導體等，仍高度依賴日本、德國和美國等國家的進口供應鏈。

以MEMS壓力傳感器為例，其核心的硅微加工材料國產化率僅約30%，高純度硅片和精密濺射靶材幾乎全部進口。盡管國內企業如敏芯微電子、士蘭微等在封裝測試環節取得突破，但基底材料和生產設備仍受制于國際供應商。材料科學基礎薄弱、工藝積累不足是主要瓶頸，例如傳感器敏感元件所需的納米級功能材料，國內實驗室雖能小批量制備，卻難以滿足商業化生產的穩定性和成本要求。

另一方面，在傳感器芯片設計環節，國產EDA工具和IP核逐漸成熟，但制造環節的國產化材料應用仍面臨性能一致性挑戰。例如航天級傳感器使用的耐輻射復合材料，國內產品在極端環境下的壽命指標較進口材料仍有差距。產業鏈上下游協同不足也導致材料研發與應用脫節，許多國產新材料因缺乏量產驗證機會而難以迭代優化。

值得注意的是，在部分細分領域已出現突破性進展。如漢威科技的氣體傳感器采用自主研發的金屬氧化物半導體材料，實現了95%國產化率；寧波希磁科技的磁阻傳感器材料成功替代日立金屬。這些案例證明，通過產學研用一體化攻關，材料瓶頸是可以逐步破解的。

總體而言，國產化傳感器在材料領域已從完全依賴進口轉向部分替代，但高端核心材料仍存在“卡脖子”風險。真正解決依賴困境需構建材料-設計-制造-應用的全產業鏈生態，持續投入基礎科學研究并加強國際合作。未來5-10年，隨著第三代半導體材料、智能傳感材料等新賽道的發展，中國傳感器產業有望在材料自主可控方面實現質的飛躍。